память
/ itc.ua

DRAM и NAND в одном чипе — исследователи создали память с изменением фазы, которая не потребляет много энергии

Исследователи Корейского передового института науки и технологий (KAIST) в Южной Корее разработали новый тип памяти со сменой фазы, который не имеет недостатков предыдущих итераций этой технологии.

Память со сменой фазы, или сокращенно PCM, работает путем перехода между двумя физическими состояниями: кристаллизованным (с низким сопротивлением) и аморфным (с высоким сопротивлением).

Она оптимально сочетает свойства DRAM и флэш-памяти NAND. DRAM является быстрой, но энергозависимой, то есть данные, хранящиеся в ней, исчезают в случае прекращения питания.

Читать на itc.ua
Сайт imag.one - агрегатор новостей из открытых источников. Источник указан в начале и в конце анонса. Вы можете пожаловаться на новость, если находите её недостоверной.

Сейчас читают

DMCA